為探討電暈放電引起聚酰亞胺(PI)薄膜絕緣老化的原因,利用掃描電鏡(SEM)分別研究了純PI薄膜和PI/Al_2O_3復(fù)合薄膜在電暈放電下老化擊穿的特點(diǎn),并通過重復(fù)電暈老化擊穿實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)了薄膜擊穿位置出現(xiàn)的規(guī)律。結(jié)果表明:電暈老化擊穿后純PI薄膜和PI/Al_2O_3復(fù)合薄膜均形成了直徑約為20μm的圓形擊穿孔,統(tǒng)計(jì)擊穿孔的位置發(fā)現(xiàn)大多數(shù)擊穿位置集中在特定的圓心區(qū)和邊緣區(qū),只有少數(shù)擊穿發(fā)生在電暈破壞環(huán)上,說明電暈放電對薄膜的破壞并不是引起薄膜最終老化擊穿的主要原因,電暈放電產(chǎn)生大量的熱量在薄膜上積累引發(fā)的熱擊穿導(dǎo)致薄膜最終發(fā)生了熱老化擊穿。
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